
Di bilik pengeringan, wafer yang baru saja selesai dicuci masih belum siap sepenuhnya. Kehadiran air, zarah-zarah kecil, serta tekanan termal akibat proses pengeringan yang tidak tepat boleh merosakkan kualiti wafer sebelum ia sampai ke langkah seterusnya. Cabaran sebenarnya bukan sekadar membuang air dari permukaan wafer, tetapi juga mengawal suhu permukaan wafer dengan tepat.
Apa yang penting dari segi teknikal
Kami menggunakan sistem pengeringan yang menghasilkan tenaga yang terkawal dan cepat. Sistem ini memastikan suhu permukaan wafer kekal stabil pada tahap ±0.1°C. Dengan cara ini, tiada kawasan yang terlalu panas atau sejuk yang boleh menyebabkan perubahan struktur permukaan wafer. Pemanas yang digunakan adalah jenis inframerah gelombang pendek dan sederhana, dengan komponen kuarsa dan serat karbon untuk memastikan suhu tetap stabil. Ini membantu mengelakkan pembentukan zarah-zarah kecil semasa proses pengeringan, sekaligus memastikan permukaan wafer bersih. Hasilnya, sudut sentuhan antara wafer dan permukaan pengeringan dapat dikawal dengan baik, dan permukaan wafer bebas daripada sisa-sisa kotoran.
Mengapa pendekatan ini sesuai
Selepas proses pembersihan, wafer perlu diproses menggunakan kaedah litografi atau proses pengeringan tanpa sebarang kotoran. Pendekatan pengeringan kami memastikan proses pengeringan berjalan dengan lancar dan konsisten. Anda akan mendapat masa proses yang dapat diramalkan, kurangan masalah akibat kesan air atau zarah-zarah kecil, serta masa operasi yang lebih stabil. Selain itu, kerana kawalan suhu yang tepat, penggunaan tenaga juga dapat dikurangkan, tanpa menjejaskan kelajuan proses pengeringan.
Butiran praktikal
Semasa pemasangan, anda perlu memastikan aliran udara di dalam bilik pengeringan sesuai dengan kuasa pemanas yang digunakan. Antaramuka sistem ini mematuhi standard SEMI, namun anda masih perlu menyesuaikan suhu permukaan wafer agar tidak berlebihan. Lakukan ujian awal untuk menyesuaikan kadar peningkatan suhu dan masa pengeringan yang diperlukan untuk jenis wafer tertentu.