Üretim alanında, henüz yıkanmış olan wafere henüz işlem yapılmamıştır. Su izleri, mikro parçacıklar ve yanlış kurutma işlemlerinden kaynaklanan termal stresler, bir sonraki aşamaya geçilmeden önce ürün kalitesini bozabilir. Asıl zorluk, sadece suyun uzaklaştırılması değil; aynı zamanda yüzeyin ve termal durumun tam kontrol altında tutulmasıdır.
Teknik açıdan önemli olanlar
Kurutma işlemi, kontrollü ve hızlı enerji sağlamasıyla gerçekleştirilir. Sistem, wafere uygulanan ısıyı ±0,1°C civarında sabit tutar; böylece foto dirençlerin erimesine veya strese bağlı sorunlara neden olabilecek sıcaklık farkları oluşmaz. Isıtıcılar kısa dalga ve orta dalga kızılötesi ışınlar kullanır; kuvars bileşenler ve karbon lifleri sayesinde hızlı ısı artışı ve stabil ısı kontrolü sağlanır. Böylece pişirme sırasında parçacık oluşumu engellenir ve bu da temiz oda standartlarına uyulmasını sağlar. Her seferinde tekrarlanabilir temas açısı kontrolü ve lekesiz yüzeyler elde edilir.
Neden bu yöntem uygundur?
Temizleme işleminden sonra, wafernin herhangi bir kirlilik olmadan litografi veya foto direnç pişirme işlemine tabi tutulması gerekmektedir. Ayrıca, çizgi genişliği veya yapışma sorunlarına yol açabilecek termal etkilerden kaçınılmalıdır. Bizim kurutma yöntemimiz doğrudan üretim sürecine entegre olur ve yumuşak/sert pişirme işlemlerinin düzenli ve tekrarlanabilir olmasını sağlar. Öngörülebilir işlem süreleri, su izleri ve parçacıklardan kaynaklanan atıkların azalması ve sürekli çalışma süresi elde edilir. Ayrıca, sıcaklık kontrolü hızlı ve hassas olduğundan enerji tüketimi de düşük kalır.
Pratik detaylar
Kurulum sırasında, odanın havalandırma sistemi ve gaz akışının ısıtıcının gücüne uyumlu olması gerekir ki ayarlanan sıcaklık değerleri korunsun. Arayüzler SEMI standartlarına uygundur; ancak aşırı ısınmayı önlemek için platformun termal özelliklerinin de bu standartlara uygun olması gerekir. Belirli bir foto direnç kombinasyonu için rampa hızlarını ve pişirme sürelerini ayarlamak amacıyla kısa bir test süreci gereklidir.